Проверка элементов электронных схем обычно осуществляется с помощью омметра. Сопротивление элемента измеряется и сравнивается с сопротивлением исправного элемента.
Резисторы и катушки индуктивностиНеисправность конденсатора может быть связана с внутренним обрывом, коротким замыканием или утечкой. Короткое замыкание или утечка (т. е. низкое сопротивление) легко обнаруживаются с помощью омметра. Более трудно установить наличие обрыва. Когда выводы омметра подсоединяются к выводам конденсатора, батарея омметра начинает заряжать конденсатор. В случае конденсатора большой емкости стрелка омметра резко отклоняется к нулевому показанию и затем, по мере заряда конденсатора, медленно возвращается к положению, соответствующему бесконечному сопротивлению. Если этого не происходит, имеется обрыв. Однако конденсатор малой емкости будет заряжаться настолько быстро, что измерительный прибор не сможет зарегистрировать процесс зарядки.
Электролитические конденсаторы могут быть проверены на внутренний обрыв, поскольку они имеют большую емкость и обычно большой ток утечки. Прибор показывает низкое сопротивление (несколько сотен килоом) при подключении конденсатора к омметру в правильной полярности.
Конденсаторы могут изменять свою емкость в больших пределах. Для обнаружения этой неисправности необходимо измерять емкость мостовым методом.
Проверка полупроводниковых устройств обычно включает измерения прямого и обратного сопротивлений pn-перехода. В случае диода омметр сначала подключается, как показано на рис. 38.16(а): отрицательным выводом к аноду диода и положительным — к его катоду. При этом диод будет смещен в обратном направлении, и омметр покажет очень высокое сопротивление (МОм). Затем полярность подключения меняется на обратную (рис. 38.16(б)), и диод смещается в прямом направлении. Омметр зарегистрирует низкое прямое сопротивление pn-перехода (600-1000 Ом при измерении прибором с подвижной катушкой и несколько ом при измерении электронным или цифровым вольтметром). Если в обоих направлениях регистрируется низкое сопротивление, то диод, вероятно, неисправен (короткое замыкание).
Рис. 38.16. Проверка диода.
Омметр можно также использовать для определения выводов диода — анода или катода. Когда омметр показывает низкое сопротивление (прямое смещение), как показано на рис. 38.16(б), полярность подключения омметра совпадает с полярностью диода, т. е. положительный (черный) вывод подключен к аноду, а отрицательный (красный) вывод — к катоду.
Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор состоит из двух pn-переходов, которые проверяются каждый в отдельности, т. е. так же, как переход диода. Прямое и обратное сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов измеряются отдельно. Показания омметра должны быть того же порядка, как и для обычного диода. Проверяется также сопротивление между коллектором и эмиттером, которое должно иметь очень большую (мегаомы) или бесконечную величину в обоих направлениях.
Полевые транзисторы с управляющим pn-переходом
Для измерения сопротивления обоих переходов, а также сопротивления самого канала используется омметр. Исправный полевой транзистор должен иметь следующие величины сопротивлений.
• Сток-затвор
(прямое смещение) низкое сопротивление (40 Ом).
• Сток-затвор
(обратное смещение) очень большое (мегаомы).
• Затвор-исток
(прямое смещение) низкое сопротивление (40 Ом).
• Затвор-исток
(обратное смещение) очень большое (мегаомы).
• Сток-исток или сопротивление канала
(в обоих направлениях) низкое сопротивление (100 Ом).
Тиристоры
Как прямое, так и обратное сопротивление между анодом и катодом очень велико. Переключение тиристора в проводящее состояние можно зарегистрировать, подключая омметр в прямом направлении, как показано на рис. 38.17. Если в этой схеме управляющий электрод тиристора закоротить с анодом, потечет ток управляющего электрода, который переключит тиристор в проводящее состояние. В результате омметр покажет низкое сопротивление (несколько сотен ом). Это показание омметра не изменится, если устранить короткое замыкание между анодом и управляющим электродом.
Рис. 38.17. Проверка тиристора.
Рис. 38.18. Влияние шунтирования при
внутрисхемном измерении сопротивления.